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CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究

         

摘要

用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜.研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑.用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小.表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质.

著录项

  • 来源
    《光谱学与光谱分析》 |2007年第1期|32-34|共3页
  • 作者单位

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

    北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
  • 关键词

    化学沉积; CdS薄膜; CdCl2处理; 退火;

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