对InxGa1-xN／GaN量子阱相关光学性质的影响

摘要

利用变分原理及有效质量近似，研究In组份对InxGa1-xN／GaN量子阱光学性质的影响，结果表明，考虑内电场的影响后，电子与空穴复合率减小，随着势垒层In组份的增加，激子结合能、基态振子强度增大，发光波长反而减小。