机译:InxGa1-xN / GaN量子阱中强梯度界面相关的压电极化减弱对激子约束的影响
Ingan/gan quantum wells; Graded interfaces; Strain piezoelectric polarization; Quantum confined exciton; Binding-energies; Gan; Wurtzite; Heterostructures; Zincblende; Nitrides;
机译:InxGa1-xN / GaN量子阱中强梯度界面相关的压电极化减弱对激子约束的影响
机译:嵌入纳米线中的受位置控制的GaN量子点的强激子限制
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机译:具有自发和压电极化效应的单个和多个AlGaN / GaN量子点的电子能谱
机译:自组装量子点:对单个和垂直耦合的II型量子点中激子的理论研究。
机译:从量子限制和激子结合能相关的光致发光峰确定InGaN / GaN纳米壁中的应变弛豫
机译:半极性InxGa1-xN / GaN量子阱有源层中的偏振转换现象