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GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质

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采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析.实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀, 且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的.同时由室温下InGaN/GaN量子阱的拉曼谱可得知InGaN/GaN多量子阱的结构特征.

著录项

来源
《物理实验》 |2004年第5期|46-48|共3页
作者
熊飞;
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作者单位

武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;

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正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
InGaN/GaN多量子阱; 光致发光谱(PL); 光致发光激发谱(PLE); 拉曼光谱;

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