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程开富; 刘心莲;
重庆光电技术研究所;
红外信号处理器件; 工作频率; 动态范围; 转移效率; 埋沟道P沟CCD; 工作原理; 设计; 制作工艺;
机译:使用沟道预非晶化制造的浅掺杂层的埋沟道pMOS器件的特性
机译:掺杂分布对埋沟道SiGeC / Si异质结构MOS器件潜在性能的影响
机译:在77 K下工作的埋沟式PMOS器件的解析延迟关闭模型
机译:重叠电极埋沟CCD
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:埋沟NmOsFET中掺杂浓度对4H-siC CmOs器件电性能的影响
机译:低水平核废料浅埋埋沟沟隔离。 1981年10月至1984年9月的最终报告。
机译:埋沟型深耗尽沟道晶体管
机译:具有掩埋沟道(bccd)的电荷耦合器件(ccd)半导体部件的制备方法
机译:完全耗尽的器件,在沟道区中埋有绝缘层
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