埋沟CCD器件电荷处理容量的二维数值模拟

摘要

借助于二维器件模拟软件PISCES -IIB ,通过在某相CCD电极下的耗尽区注入数量可控的电子电荷 ,对埋沟CCD器件电荷容量进行了定量分析。采用此方法对一种沟道宽度为 7μm的CCD信道电荷容量进行了瞬态模拟 ,对不同结深、不同沟道掺杂浓度对CCD电荷容量的影响进行了讨论。得到了此结构工艺参数的初步优化结果 ,即CCD沟道表面掺杂浓度为 3× 10 16cm- 3、结深为 1μm时 ,埋沟CCD的电荷容量可达 6× 10 4 /μm。文章提出的方法适用于其他CCD单元结构电荷容量的模拟。