等离子腐蚀法现代监控技术的发展：I.用CF4／O2和CF4／H2腐蚀硅和二氧化…

机译：用硅腐蚀中使用的气体混合物对等离子体中的化学过程进行建模。第1部分：CF4 / O2

机译：CF4 / CH2F2 / N-2 / Ar电感耦合等离子体中SiC，SiO2和Si的刻蚀特性：CF4 / CH2F2混合比的影响

机译：使用Ar / CF4和He / CF4表面放电等离子体蚀刻纹理单晶硅表面纺织膜的蚀刻特性

机译：固体溶液氧对CF4 / O2等离子体抗ALN陶瓷腐蚀的影响

机译：1,2-二氧戊环的形成：I. H2O2酸催化加成至ss，γ-环氧酮II。通过使用O2 III对三萜进行铬催化的烯丙基过氧化。通过α-酰基自由基通过金属催化将O2取代为取代的ss-Keto酯。

机译：使用Y2O3和YF3保护涂层的量产CF4 / O2等离子腔室中的腐蚀行为和颗粒污染的比较

机译：硅腐蚀中使用的混合气体等离子体中化学过程的建模。第1部分：CF4 / O2用于蚀刻硅的气态混合物等离子体中化学过程的建模。第1部分：CF4 / O2

机译：CF4 / O2等离子体的局部压力分析

机译：使用（CH3F或CH2F2）与CF4和O2的混合物在硅或氧化硅存在下进行选择性氮化硅蚀刻

机译：使用CH3F或CH2F2与CF4和O2的混合物在硅或氧化硅存在下进行选择性氮化硅蚀刻

机译：使用（CH3F或CH2F2）与CF4和O2的混合物在硅或氧化硅存在下进行选择性氮化硅蚀刻