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邵勇; 孙来喜; 吴卫东; 孙卫国;
中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900;
西华大学材料科学与工程学院,成都610039;
反应离子刻蚀; 感应耦合等离子体; 刻蚀速率; 粗糙度; 刻蚀形貌;
机译:Ar / CF4和Ar / O2 / CF4放电的双频电容耦合等离子体中电子密度和离子能量分布的实验研究
机译:CF4 / CH2F2 / N-2 / Ar电感耦合等离子体中SiC,SiO2和Si的刻蚀特性:CF4 / CH2F2混合比的影响
机译:在反应离子蚀刻过程中等离子体CF4 + O 2 + Ar和CHF3 + O2 + AR的参数和组成
机译:CF4 / O2,O2和O2 / AR等离子体中CVD金刚石的反应离子蚀刻
机译:稻瘟病菌克隆系中驱动高端粒RFLP多样性的新型非LTR修饰元件的表征和分布
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:控制电子能量分布和等离子体特性的双频,脉冲电容耦合等离子体持续,AR和AR / CF4 / O2
机译:ar,CHF3 / ar和CHF3 / ar / O2混合物中电感耦合等离子体中的质谱和Langmuir探针测量
机译:CF4 / O2 / N2等离子体中有效的干式环氧丙烷及其混合氧化物干蚀刻工艺
机译:CF4 / O2 / N2等离子体中act系氧化物及其混合氧化物的有效干法蚀刻工艺
机译:CF4 / O2 / N2等离子体中plasma系氧化物及其混合氧化物的有效干法蚀刻工艺
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