机译:使用Ar / CF4和He / CF4表面放电等离子体蚀刻纹理单晶硅表面纺织膜的蚀刻特性
机译:Cl-2 / Ar和CF4 / Ar电感耦合等离子体中Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的刻蚀特性:气体混合比的影响
机译:CF4 / AR等离子体中的O2加入蚀刻特性和表面性质的表面性质的变化
机译:CF4 / O-2干法蚀刻a-Si:H / c-Si异质结中的晶体硅表面,用于光伏应用
机译:用CF4 / D2和CF4 / H2等离子体在不同温度下蚀刻PECVD的SIN膜的特性
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:在加氢的碳氟化合物(CF 4 ∕ Ar ∕ H 2和C 4 F 8 ∕ Ar ∕ H 2)等离子体中的Si上选择性刻蚀高kk HfO 2膜
机译:用氩(ar),四氟化碳(CF4)和六氟化硫(sF6)混合物反应离子刻蚀钛酸锶钡薄膜的研究