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兰怀迎;
无;
晶体管; 功率;
机译:关于结型晶体管自举线性扫描电路的讨论结型晶体管振荡器在将功率从直接转换为功率时的设计考虑交流电?????????半导体载流子中的少数载流子存储1957年1月23日在无线电和电信科之前
机译:关于在7-50 kc / s频率范围内测量结型晶体管噪声的讨论?????????,锗扩散结光电二极管,电池?????????,?????????晶体管功率放大器?????????,????????晶体管dc转换器????????硅微波二极管中的噪声在1955年5月11日的无线电和测量部门的联席会议之前
机译:窄带功率晶体管无线电发射机的末级输入电路中的功率损耗及其补偿
机译:基于C2M0025120D碳化硅的功率MOSFET晶体管的电和热建模及老化研究
机译:高k电介质氧化锌薄膜晶体管的电不稳定性和界面电荷的研究。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:在适用于CAD的时标上,首次展示了微波功率FET和MMIC的完全物理的,与时间相关的耦合电热仿真结果。这是通过将功率FET或MMIC中随时间变化的热流的原始分析热阻矩阵模型与晶体管的完全物理电CAD模型相结合来实现的。
机译:EsD(静电放电)/ EOs(电过载)对一类双极射频功率晶体管的敏感性:对带状线对置发射晶体管的实验研究
机译:实际应力下电荷转移阵列晶体管特性及老化的研究方法及电路及其在DRAM MOSFET阵列晶体管中的应用
机译:研究真实应力下电荷转移阵列晶体管特性和老化的方法和电路及其对DRAM MOSFET阵列晶体管的实现
机译:实际应力下电荷转移阵列特性和老化的研究方法及电路及其对DRAM MOSFET阵列晶体管的实现
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