硅基PIN红外探测器暗电流的研究进展

摘要

随着智能化弹药进一步向精准化、小型化发展,硅基PIN光电探测器由于具有高响应度、短响应时间、小体积、低功耗、强抗干扰等优点而广泛应用于激光制导等领域。然而,暗电流作为制约PIN探测器性能的重要参数一直备受关注,减小暗电流可以有效改善探测器的灵敏度,提高其信噪比。因此,主要介绍了PIN探测器暗电流的产生机制,重点探讨了优化探测器暗电流的方法,主要从钝化工艺、掺杂技术、I层厚度、温度、电场隔离结构、pn结面积等方面综述了暗电流的研究进展,为PIN探测器在智能弹药导航领域的应用奠定了坚实的理论基础。