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应变层Si1—x—yGexCy合金研究

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本文综述了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金的研究进展，包括合金的应变补偿效应，微观结构，能带结构和光电特性等。

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来源
《半导体杂志》 |1997年第2期|25-33|共9页
作者
于卓; 余金中;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.24;
关键词
合金; 应变补偿; 能带结构; 碳化硅; 半导体材料;

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