三元合金Si1-x-yGexCy的氧化动力学

摘要

利用椭圆偏振仪(EL)、傅立叶红外光谱(FTIR)研究了Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金分别在在900°C和1000°C干氧气氛下所形成的氧化物的生长动力学.结果表明:在900°C氧化时,随着合金中的替代碳含量的增加,氧化速率逐渐下降;而在1000°C下氧化超过10分钟后,Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金的氧化基本上与碳的含量无关,与Si<,1-x>Ge<,x>的行为一致.这主要是由于在1000°C比较长时间的氧化过程中,替代位的碳逐渐析出形成β-SiC沉淀,失去了对氧化过程的影响作用.我们研究表明对于Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜和器件的应用来说,氧化的温度必须要小于1000°C.