机译:碳对在Si(100)上外延生长的Si1-x-yGexCy薄膜中的应变补偿的影响
Tohoku Univ, Elect Commun Res Inst, Lab Nanoelect & Spintron, Aoba Ku, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
carbon; strain; X-ray diffraction; Raman scattering; chemical vapor deposition; SiGe; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;
机译:(100)/(001)取向的小应变外延PbTiO_3膜,通过金属有机化学气相沉积法在(100)CaF_2衬底上生长,其膜厚为纳米至微米级
机译:通过金属有机化学气相沉积在(100)SrTiO_3衬底上生长的(001)/(100)取向外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中的应变松弛结构
机译:金属有机化学气相沉积在(100)SrTiO_3衬底上生长的(001)/(100)取向外延PbTiO_3薄膜中的应变松弛结构
机译:在(100)SrTiO_3衬底上生长的(100)/(001)取向外延PbTiO_3厚膜中的应变松弛畴结构的X射线分析
机译:考虑相平衡的二氧化钛(100)上外延二氧化钒薄膜中的半导体-金属跃迁
机译:在YSZ(100)上生长的ε-Fe2O3(001)的外延稳定薄膜
机译:通过金属有机化学气相沉积在(100)SRTIO3基板上生长的(001)/(100)的菌株弛豫结构(001)/(100)的外延PB(Zr,Ti)O3薄膜