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徐伟;
天津理工学院自动化系;
保护环; 场板; MOSFET; VDMOS; 结构击穿电压;
机译:击穿电压超过600 V的优化超级结VDMOS
机译:SOI上的新型高击穿电压横向肖特基集电极双极晶体管:设计与分析
机译:通过击穿电压升压结构在Si衬底上的GaN晶体管实现高击穿电压
机译:高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进制成垂直2DHG金刚石金刚石MOSFET
机译:用于汽车应用的60V VDMOS设计和制造
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:通过PSO优化的支持向量分类器的球形间隙的结构表征和击穿电压预测的结构特征
机译:高击穿电压mEsFET,具有低温生长的Gaas钝化层和重叠栅极结构。 (重新公布新的可用性信息)
机译:Vdmos-具有更高击穿电压特性的晶体管
机译:具有改善的击穿电压特性的vdmos晶体管
机译:抗isz强化结构及存储介质的设计与分析方法
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