GaN Systems推出用于GaN E-HEMT的IMS3平台

摘要

GaN Systems(一家无晶圆厂的氮化铢功率开关供应商)推出了下一代绝缘金属衬底(IMS3)平台,该平台可用于其GaN增强模式高功率晶体管,应用于高效率汽车,数据中心和工业应用中。IMS3平台具有显着改善的传热特性,从而降低了温度温度并提高了功率密度,使其成为在相同功率水平下实施更小,成本更低的系统的参考,或者在相同尺寸下将输出功率提高30%。