功率密度再翻倍 新GaN FET效率高达99

摘要

德州仪器(TI)日前面向汽车和工业应用推出新一代650V和600V氮化稼(GaN)场效应晶体管(FET)。与现有硅基或碳化硅解决方案相比,新的GaN FET系列采用快速切换的2.2MHz集成栅极驱动器,可提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电动汽车充电器中的电源磁性器件尺寸和车载充电器尺寸分别缩小了59%和50%。