首页> 中文期刊> 《电子元器件应用》 >IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95%并可大幅节省占位空间

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95%并可大幅节省占位空间

             

摘要

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司(International Rectifier.简称IR)日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET,这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95%的效率,并可大幅节省占位空间。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号