Diodes推出3.3mm单芯片封装双MOSFET

摘要

Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率,从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本,功率和空间节省。与典型的两芯片解决方案相比,DMN3012LEG在尺寸仅为3.3mm×3.3mm的单个封装中集成了双MOSFET,并将电路板空间需求减少了多达50%。这种节省空间的优点是使用负载点(PoL)和电源管理模块的一系列应用程序。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降压转换器和半桥电源拓扑中,以减小电源转换器解决方案的尺寸。