半桥

摘要： 针对LED应用场合中负载快速变化且不均衡的工作状况,提出一种基于人工蜂群算法的多路半桥均衡电路。该电路拓扑紧凑,克服了二极管续流问题,采用控制PWM占空比精确调节各路电压均衡的方法,将采样电压值与目标电压值的标准差作为目标函数,通过人工蜂群算法进一步优化恶劣工况中的电压。此外,通过开环状态和闭环状态的仿真对比,表明该闭环策略具有高效性的优势。最后,搭建实验样机,验证所提出的拓扑和控制策略的有效性。

摘要： 传统的开关电源技术存在功率因数小、效率低、体积大、发热严重以及易对电网造成污染等缺点,无法满足现代电子设备的供电要求。新型开关电源采用交错并联Boost功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)电路以半桥谐振变换器作为主拓扑结构,通过脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)实现变频控制,采用同步次级整流技术提高次级整流效率,降低了对电网的污染,使用方便,可以节省能源。

摘要： 以功率Cool MOSFET为开关管,主电路采用半桥逆变拓扑结构,设计了一种小型的高频感应钎焊机,采用串联谐振技术输出,满足实际中高频化、小功率化的需要.

摘要： GaNHEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景.栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用.介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述.同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结.

摘要： 为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同互联拓扑结构的模块寄生电感进行研究,并通过ANSYS软件对不同互联拓扑结构的热传递过程进行了仿真.通过改变并联半桥模块内部换流回路中各元件的布局方式,减小模块内部换流通路的长度以及面积,从而实现减小寄生电感的目的,同时,也对不同方案的热学特性进行了比较分析.综合考虑寄生电感和散热性能两方面的因素,最终确定最优的模块设计方案;根据优化方案,针对电动汽车应用制作了6芯片并联半桥模块,并搭建Boost电路对模块进00行了测试.

摘要： 当前发展便于接入智能电网的双向充电机,尤其是车载双向充电机已是必然要求.双向充电机分AC/DC和DC/DC两个模块,本文以半桥DC/DC电路为主要研究对象,对其工作模态进行分析,主要参数进行设计并仿真.

摘要： 碳化硅是目前发展最为成熟的新型宽禁带半导体材料.以典型的±350 kV/1000 MW柔性直流输电工程为实例,介绍一种基于碳化硅器件的10 kV柔性直流功率变换单元设计方法,包括模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)的工作原理、半桥拓扑、功率器件选型、电容器选型、碳化硅驱动电路设计、保护电路设计等内容.采用PLECS软件搭建仿真模型,对基于碳化硅器件和普通硅器件的柔性直流换流阀损耗进行仿真比较,结果表明在柔性直流输电应用场景下使用碳化硅器件代替普通硅器件,可降低整体功率损耗.最后,简单估算了在柔性直流输电工程中使用碳化硅器件带来的经济效益.

摘要： 把传统级联型三相多电平逆变器的H全桥单元改为半桥单元,可减少一半的功率器件数和2个主电源.分别分析了倍压、等压电源供电情况下的正弦脉宽调制SPWM(sinusoidal pulse width modulation)控制方法以及调制结果.利用等能量和等电量方法,解出电源功率分配比和倒灌功率比.倍压电源供电逆变的倒灌功率,可通过增大电源电容量和PWM软件算法,使倒灌功率的影响减至很小.等压电源供电逆变,利用循环脉冲控制,可使除公用电源外的级联电源功率达到均衡.

摘要： Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率,从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本,功率和空间节省。与典型的两芯片解决方案相比,DMN3012LEG在尺寸仅为3.3mm×3.3mm的单个封装中集成了双MOSFET,并将电路板空间需求减少了多达50%。这种节省空间的优点是使用负载点(PoL)和电源管理模块的一系列应用程序。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降压转换器和半桥电源拓扑中,以减小电源转换器解决方案的尺寸。

摘要： ADI公司的ADUM4221是4A输出隔离的半桥栅极驱动器,采用了该公司的i Coupler®技术,提供独立和隔离的高边和低边输出.它的隔离电压为5700V rms.器件组合了高速CMOS和单片变压器技术,这些隔离元件提供了比通常的脉冲变压器和栅极驱动器组合体更加优异的性能特性.

摘要： 分析了倍流整流式不对称驱动半桥变换器的工作原理,研究了不对称驱动半桥变换器偏磁的产生原因,并给出了任意占空比下消除直流偏磁的方法.最后的仿真结果表明了理论分析的正确性.

摘要： 本文分析了一种半桥软开关直流变换器.与传统半桥电路相比,该电路增加了一个由辅助开关管和一个二级管组成的支路.采用一种改进的PWM控制方法.主开关管不仅工作在对称状态,而且能很好实现软开关.辅助开关管在主开关管关闭期间实现ZVS和ZCS导通,辅助管不仅为主开关管实现ZVS创造了条件,而且大大减轻了变压器漏感和主开关管结电容之间的振荡.本文详细分析了该变换器的工作原理,仿真和试验研究表明该变换器具有优良的性能.

摘要： 由于超声电机需要幅值较高的驱动电压，因此其驱动电路需要变压器升压。目前常用结构简单的推挽电路作为超声电机驱动，但推挽电路存在偏磁，且其开关管电压存在尖峰，而这些问题在半桥电路中并不存在。本文分析了负载性质对驱动电路的影响，并在电路中加入电感，使驱动电路的负载性质由容性转变为感性，实现了开关管的零电压开通。并通过在变压器中加气隙实现了外加电感和变压器的磁集成，给出了气隙大小的设计准则。进行了驱动TRUM-60型超声电机的实验，结果证明了该方法的有效性。

摘要： 公开了一种半桥电路、半桥电路封装和用于构造半桥电路封装的方法。在一些示例中，半桥电路包括第一开关，第一开关包括第一负载端子、第二负载端子、第一控制端子以及与第一开关的第一控制端子电隔离的第二控制端子。半桥电路还包括第二开关，第二开关包括电连接至第一开关的第二负载端子的第一负载端子、第二负载端子和控制端子。

摘要： 本发明实施例提供一种半桥电磁器具的IGBT控制方法和半桥电磁加热器具。本发明的方法包括：通过在第一IGBT由截止状态变为导通状态时，开始计时并获取第一感应电压；当第一感应电压大于或等于第一参考电压时，获取第一计时时长；根据第一计时时长和第一预设时长，控制第二IGBT的导通时长。可以在半桥电磁器具中，根据感应电压、计时时长确定其对应的IGBT的导通状态，从而根据IGBT的导通状态调整其他IGBT的频率，避免IGBT多次非过零导通的情况，实现对IGBT的保护，提高半桥电磁器具的安全性。

摘要： 公开了一种半桥电路、半桥电路封装和用于构造半桥电路封装的方法。在一些示例中，半桥电路包括第一开关，第一开关包括第一负载端子、第二负载端子、第一控制端子以及与第一开关的第一控制端子电隔离的第二控制端子。半桥电路还包括第二开关，第二开关包括电连接至第一开关的第二负载端子的第一负载端子、第二负载端子和控制端子。

摘要： 本发明涉及一种用于制造用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥(10)的方法，半桥包括基板、半导体开关元件(24)、功率端子(14，16，18)和信号端子(20)，其中，由扁平导体框架形成、优选冲压成功率端子和信号端子，其中，将半导体开关元件嵌入在模块化设计的层系统中，层系统包括接触部平面(22)和用于接触半导体开关元件的金属化部，其中，将信号端子和功率端子布置在基板的第一表面上，其中，用浇注料(12)对模块化的层系统、信号端子和功率端子进行浇注，其中，功率端子和/或信号端子的在导体框架中形成的外部区段各自从与第一表面正交的第二表面、从浇注料延伸出来，其中，外部区段分别具有与第一表面垂直的端部。

摘要： 一种用于半桥功率电路的控制器包括：测量电路、控制器电路、上部延迟电路和下部延迟电路。测量电路连接到半桥节点，测量半桥电压并产生能够表示所测量的半桥电压的多位状态信号。控制器电路连接到测量电路，从测量电路接收状态信号并基于状态信号产生至少一个延迟控制信号。上部延迟电路连接到控制器电路以接收延迟控制信号，响应于延迟控制信号而提供上部控制信号以将上部开关导通/关断。下部延迟电路连接到控制器电路以接收延迟控制信号，响应于延迟控制信号而提供下部控制信号以将下部开关导通/关断。

摘要： 一种半桥功率转换器的切换方法，所述半桥功率转换器包括在所述转换器的支腿中的至少一对功率开关，其提供上分支功率开关和下分支功率开关以及上分支功率开关和下分支功率开关的第一栅极控制电路和第二栅极控制电路。所述切换方法包括：在切换一对功率开关期间感测上分支和下分支中的电流导数，以提供与上功率开关和下功率开关中的功率电流的电流导数成正比的第一信号和第二信号，对第一信号和第二信号求和以提供求和后的电流导数信号，并将求和后的电流导数信号与第一栅极控制电路和第二栅极控制电路的功率开关命令信号相加，从而使求和后的导数信号调制栅极控制电路的栅极换向信号。

摘要： 本发明提供了一种自适应互锁半桥驱动电路及半桥驱动系统。自适应互锁半桥驱动电路包括：互锁控制电路，基于输入电压源产生互锁控制信号；以及逻辑驱动电路，包括互锁电路，互锁电路的使能端接收互锁控制信号，当互锁控制信号为第一状态时，互锁电路失效，半桥电路允许直通，当互锁控制信号为第二状态时，互锁电路被使能，半桥电路不允许直通。该半桥驱动电路可根据使用需求使能互锁电路，在部分时间允许半桥电路上下管直通，拓展了半桥电路的应用。

摘要： 本申请提供了半桥模块及采用该半桥模块的电机控制器。该半桥模块包括印制电路板以及集成于印制电路板的功率半桥电路、驱动控制电路和电流采样电路。印制电路板上设置有直流功率接口，直流功率接口为包括基部和凸出部的接线端子，基部的底面设置有凹陷，当两个印制电路板堆叠设置时，一个印制电路板的凸出部伸入另一个印制电路板的基部的凹陷中以同时实现机械插接和电连接。本申请提供的电机控制器包括上述半桥模块。本申请实现了半桥模块的可堆叠，将功率半桥电路、驱动控制电路和电流采样电路同时集成在一块电路板上，半桥模块的结构更紧凑，易于对电机控制相数进行快速扩展，有效提升了可扩展性和维护便捷性。

摘要： 本实用新型涉及一种半桥驱动器引脚结构，包括一体制成的上焊接条、连接片和下焊接条，所述上焊接条位于连接片的顶部一侧，所述上焊接条与连接片之间相垂直，所述连接片位于下焊接条的顶端中部，所述连接片与下焊接条相垂直，所述下焊接条的底端设置有焊锡层。有益效果是：采用上焊接条、连接片和下焊接条的结构设计，提高引脚结构的稳定性，降低引脚结构的变形率；在下焊接条底部设置焊锡层，在焊接时焊锡能够将下焊接条与电路板之间的缝隙填满，提高引脚结构焊接时的牢固性。

摘要： 公开了一种采用功率半桥叠封方案的半导体器件和半桥电路模块，该半导体器件包括封装框架和层叠设置在封装框架的底座上的至少两个晶体管，其中，相邻两个晶体管的上层晶体管设置在下层晶体管的上表面的第一开窗区中，在该第一开窗区中实现串联或并联连接。本实用新型的半导体器件将至少两个晶体管层叠设置在封装框架的底座上，降低了对底座的基岛数量的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。本实用新型的半桥电路模块将第一晶体管和第二晶体管层叠设置在封装框架的底座上，第一晶体管和第二晶体管通过导电层电性连接而串联，降低了对封装框架的底座的基岛的需求，便于与普通封装框架兼容，降低了封装成本。