化合物半导体的离子注入隔离技术

摘要

本文介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中有关质子隔离、氧隔离、氦隔离和硼隔离的两种补偿机理。分别讨论了离子剂量、入射能量和退火温度对离子注入所形成的高阻层的电阻率、纵向深度及其光学性能的影响。分析了离子注入器件隔离中的有关工艺问题,并提出解决措施。