高跨导常断GaN MODFET

摘要

成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压为3V时其电流为300mA/mm。该跨导值与先前报道的栅长分别为1和0.23μm、跨导分别为45和24mS/mm 的器件相比,是相当不错的。