真空紫外光直接光CVD SiO2膜的偏压温度处理

摘要

对真空紫上光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后物高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０＾１１ｃｍ＾－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２￣５×１０＾１１ｃｍ＾－２。