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海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

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正全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2 GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技

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来源
《半导体信息》 |2011年第2期|P.12-12|共1页
作者
沈熙磊;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类电子工业 ;
关键词
海力士 ; 最大容量 ; 内存芯片 ; 芯片封装 ; 芯片厂商 ; 计算机内存; 通孔 ; 副总裁 ; 大容量内存 ; 生产技术;

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