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LED 半极性 生长 英国 GaN 效益 家用 应用物理学;
机译:通过MOCVD在图案化蓝宝石衬底上生长的(11-22)半极性GaN中的缺陷减少方法:向无基础堆叠缺陷的异质外延半极性GaN迈进
机译:非极性和半极性HVPE GaN种子生长氨水GaN晶体的生长行为
机译:具有半极性QW的GaN基LED,采用嵌入式亚微米尺寸的选择性生长3D结构
机译:具有极性和半极性取向的GaN纳米结构的生长,用于制造UV LED。
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在(11–22)个半极性GaN模板上的单片集成白光LED
机译:非极性/半极性/极性GaN基蓝色发射器件的最新性能和GaN块状晶体的生长
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:通过将半极性或非极性GaN上的蓝色LED与半极性或非极性GaN上的黄色LED结合使用来产生高偏振白光源
机译:通过消除生长过程中的氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆叠缺陷的半极性和非极性GaN
机译:非极性GaN和/或半极性GaN LED的封装配置
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