Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France, Universite de Nice Sophia Antipolis, Parc Valrose, 28 av. Valrose, 06108 Nice cedex 2, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France, Universite de Nice Sophia Antipolis, Parc Valrose, 28 av. Valrose, 06108 Nice cedex 2, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
Centre de Recherche sur l'Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne 06560, France;
CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, F-34095 Montpellier, France;
CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, F-34095 Montpellier, France;
CNRS-Universite Montpellier 2, Laboratoire Charles Coulomb and Universite Montpellier 2, UMR 5221, F-34095 Montpellier, France;
GaN; AlGaN; self-assembled nanostructures; molecular beam epitaxy; polar and semipolar orientations; quantum confined Stark effect; UV LEDs;
机译:用于紫外光发射器的极性和半极性GaN / Al_(0.5)Ga_(0.5)N纳米结构
机译:GaN晶体在极性,非极性和半极性方向上的非线性光学特性的表征
机译:通过X射线光电子衍射,具有极性{0001}和半极性{1011},{2021},{1122}取向的GaN极性
机译:具有极性,非极性和半极性晶体取向的独立式GaN衬底的表面分析
机译:超越传统的基于c面的GaN发光二极管:对LED在半极性方向上的系统研究。
机译:线内极性纳米结构的GaN发光体的经验模型
机译:非极性/半极性/极性GaN基蓝色发射器件的最新性能和GaN块状晶体的生长