Ni掺杂Fe:In2O3稀磁半导体的结构和磁性能

摘要

采用高温固相反应法制备出了(In0.9-xFe0.1Nix)203(x=0～0.03).使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)分析了样品的微结构和室温下的磁性能.结果表明:不同烧结温度下(970°～1100°)对于0≤x≤0.02时,样品均为单相,晶格常数随x变大而降低,在x=0.02时取得最大饱和磁化强度Ms=1.267emu/g(T=300K).x=0.03时有杂质相析出.对于Fe:In2O3体系无Ni掺杂时表现为顺磁,Ni掺杂后样品为室温铁磁性.结果表明:样品室温铁磁性与载流子浓度和磁性离子的引入有关.