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基于VHDL的高可靠性RAM的IP核设计

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摘要

设计一个采用扩展Hamming码来纠错的高可靠性RAM的IP核.提出一种充分利用厂商提供的,经过特殊优化的基本宏功能模块来设计RAM的IP核的方案.试验结果证明,该RAM IP核满足设计要求,可以正确的配合CPU执行指令,具备应用价值.

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来源
《科学技术与工程》 |2007年第14期|3547-3551|共5页
作者
谈荒; 邱跃洪; 陈智; 李巍;
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作者单位

中国科学院研究生院,北京,100039;

中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710119;

中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710119;

中国科学院研究生院,北京,100039;

中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710119;

中国科学院研究生院,北京,100039;

中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710119;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN919.31;
关键词
VHDL; 扩展Hamming码; RAM; IP核; 可靠性; 纠错;

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