P型多晶电池的光致衰减测试

摘要

以P型晶硅为基材的太阳能电池片存在着光致衰减,但目前主流的P型多晶电池工艺流程的光致衰减情况却并不确定.文章对电阻率为1～2 Ωcm的定向生长P型多晶电池所进行的光致衰减测试和分析发现:光致衰减主要发生在光照射后的3～4 h;采用丝网印刷技术制作的效率为17.1％的多晶电池的绝对效率衰减为0.15％,效率为16.4％的多晶电池的绝对效率衰减为0.08％；并通过热处理可成功地将电池效率恢复.