P型
P型的相关文献在1982年到2023年内共计918107篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、电工技术
等领域,其中期刊论文296篇、会议论文1篇、专利文献917810篇;相关期刊206种,包括医疗装备、材料导报、功能材料等;
相关会议1种,包括1998年全国半导体硅材料学术会议等;P型的相关文献由50000位作者贡献,包括不公告发明人、王磊、王伟等。
P型—发文量
专利文献>
论文:917810篇
占比:99.97%
总计:918107篇
P型
-研究学者
- 不公告发明人
- 王磊
- 王伟
- 张伟
- 李伟
- 刘伟
- 张磊
- 王勇
- 张涛
- 张波
- 李强
- 王超
- 王军
- 张勇
- 王涛
- 刘洋
- 王鹏
- 张鹏
- 李勇
- 张杰
- 王刚
- 王强
- 李杰
- 李明
- 刘勇
- 李鹏
- 张军
- 陈伟
- 其他发明人请求不公开姓名
- 王芳
- 李军
- 王辉
- 李涛
- 李刚
- 刘涛
- 陈刚
- 张强
- 李斌
- 张健
- 王飞
- 张超
- 刘军
- 王凯
- 刘斌
- 陈冠卿
- 刘杰
- 张斌
- 杨勇
- 张宇
- 李辉
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牛科研;
张璇;
崔博垚;
马永健;
唐文博;
魏志鹏;
张宝顺
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摘要:
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。
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任露;
高鹏
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摘要:
热电材料是一种极具潜力的能源材料.由于其既可以用于军事、航天等高科技领域,也可用于工业废热发电、小型可穿戴设备的能源供应等民用方面,其应用前景的广泛性引起研究人员关注.由于有机热电材料具有无毒、可弯折、体积小、质量轻和制备方法简单等优点,使其逐渐成为炙手可热的研究领域.众多研究结果表明,可以通过化学设计合成理想的目标分子和掺杂等手段对有机热电材料的性能进行调控.有机小分子热电材料的研究相比于聚合物热电材料的研究还不够成熟,但是基于小分子更易纯化和结晶这一特性,有机小分子热电材料的研究是不可或缺的.概述了现有有机小分子热电材料的最新发展和研究现状,以及未来的发展方向.
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刘祥平
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摘要:
一台海信TLM24V68P型液晶电视,上电后指示灯不亮,不开机。拆开机壳,目测电源二合一板(板号为RSAG.820.2245/ROHVER.B)元件无明显异常。在路检测,保险丝F801(4A/250V)正常,开关管V801(STK0765)击穿,电阻R822(0.47Ω)、R811(47Ω)、R812(75Ω)、R815(680Ω)开路,如图1所示。
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高丽丽;
王旭
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摘要:
p型MgZnO的制备一直是高效紫外发光和日盲紫外探测器件研究领域的重要课题之一.本文针对N掺杂p型MgZnO薄膜材料中存在的空穴浓度低、电阻率高等科学问题,采取磁控溅射技术,利用氮气与氩气混合气体分别溅射MgZnO陶瓷靶和B-N共掺杂MgZnO陶瓷靶的方法,制备出N掺杂和B-N共掺杂MgZnO薄膜.通过Hall测量表征发现两种薄膜均呈现p型导电特性,与N掺杂MgZnO相比,B-N共掺MgZnO的空穴浓度从5.53×1015 cm-3提高到2.63×1017 cm-3,而迁移率变化并不明显(从0.83 cm2·V-1·s-1减小到0.75 cm2·V-1·s-1),导致电阻率从1.36×103Ω·cm减小到31.70Ω·cm.通过XRD和XPS表征揭示了在B-N共掺MgZnO中,B替代Mg或Zn,N除了具有NO和(N2)O两种掺杂状态外,还有以单原子占据O位但与B成键的第三种掺杂状态,证明B掺杂可以提高N在MgZnO中的受主掺杂浓度,但对空穴散射影响很小,从而提高p型MgZnO的空穴浓度,降低电阻率.
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王丽婷;
黄国平;
黄惜惜;
贾佳;
龚琴赟;
李菁楠
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摘要:
以p型直拉PERC单晶硅太阳电池为研究对象,研究了电注入退火在不同的电流、时间和温度条件下,电注入退火前、后太阳电池的各项电性能参数的变化,以及经过5 kWh光致衰减(LID)实验后电池电性能参数的变化,实验均采用Halm电学性能测试仪进行测试和分析.结果表明,在目前的电注入设备条件下,以6.0 A的电流在180°C温度下处理35 min,最有利于p型直拉PERC单晶硅太阳电池由衰减态向再生态转变;电注入退火后,电池转换效率提升了0.8%;在经过5 kWh LID后,电池的转换效率相对于初始值仅降低了0.71%,证明电注入退火可有效降低p型直拉PERC单晶硅太阳电池的LID效应.
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王长丽;
黄祯雄;
王胜秋;
吕进;
宾晓芸;
杨睿睿;
唐华英
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摘要:
目的:探究CpG ODN作为疫苗佐剂对鸡新城疫重组杆状病毒疫苗的免疫效果.方法:将CpG ODN B/P这2种类型的免疫佐剂分别与鸡新城疫重组杆状病毒载体疫苗BV-BXY-F混合后,以鼻腔免疫方式进行鸡体免疫,并进行攻毒保护实验,通过对鸡体的临床症状观察,以及检测免疫保护率、中和抗体水平、淋巴细胞增殖活性、细胞因子含量,分析各CpG ODN对鸡新城疫疫苗免疫效果的影响.结果:BV-BXY-F+CpG ODN B免疫组鸡在免疫后42 d中和抗体效价最高,免疫保护率100%,中和抗体效价,sIgA、IgG、IgA、IFN-γ、IL-2、IL-4、CD4+T细胞、CD8+T细胞含量较BV-BXY-F+CpG ODN P组分别提高了32.08%、8.44%、13.56%、23.71%、50.20%、132.97%、39.76%、38.43%、25.99%,且差异显著(P<0.05),与单独免疫组BV-BXY-F相比分别提高了13.71%、89.39%、10.41%、21.26%、159.17%、52.71%、237.84%、80.51%、75.57%.结论:CpG ODN B对增强鸡新城疫重组杆状病毒疫苗的免疫增强效果最好.
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张世亮;
翟荣丽
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摘要:
薄膜晶体管(TFT)作为平板显示领域的核心技术之一,在电子信息产业中发挥了重要作用.近年来,氧化物薄膜晶体管发展迅速,高迁移率、高可见光透过率以及低温加工工艺等优势使其在柔性显示领域占据重要地位.目前关于氧化物TFT的文章报道大部分是n型TFT,为进一步提高集成电路的性能,需要制造有稳定性能的p型TFT.文章对比了4种TFT器件结构的组成、工作原理以及其在显示器领域中的应用,重点阐述了自1997年起p型TFT的研究进展,包括其制备方法、制备原材料以及得到的TFT的相关性能等;最后详细介绍了制备p型TFT的半导体材料和其新型应用领域,表明p型TFT在显示领域中具有重要应用前景.