氧化铝添加剂对液相烧结碳化硅抗氧化性的改善

摘要

使用高纯原材料研究了氧化铝（ Al2 O3）添加剂对碳化硅（ SiC）抗氧化性的改善。含有大约200×10-6金属杂质的SiC粉料和高纯Al2 O3粉末混合，得到的生坯先经过无压烧结，接着用等静热压法处理，密度达到99．5％以上。这种SiC的烧结性及强度与含有1100×10-6金属杂质的SiC粉料类似。随着Al2 O3含量和金属杂质的降低，这种SiC的抗氧化性提高。含有1．4％Al2 O3的SiC在1300℃下的干燥空气中氧化400h，其抛物线氧化速率常数为7．8×10-12 kg2· m-4· s-1。这一值要低于已报道的其它液相烧结SiC（LPS-SiC），且与化学沉积SiC（CVD-SiC）的差不多。