烧结制度及添加剂对反应烧结碳化硅过程的作用机理

目录

声明

摘要

1．1前言

1．2碳化硅陶瓷及其烧结方法

1．2．1无压烧结碳化硅

1．2．2热压烧结碳化硅

1．2．3重结晶烧结碳化硅

1．2．4反应烧结碳化硅

1．3反应烧结碳化硅的成型方法

1．3．1注浆成型

1．3．2等静压成型

1．3．3流延成型

1．3．4模压成型

1．4反应烧结碳化硅工艺及其烧结助剂

1．4．1反应烧结碳化硅的烧结工艺

1．4．2反应烧结碳化硅用烧结助剂

1．5本论文的提出及主要研究内容

2．1实验原料

2．2实验流程

2．3实验设备

2．4结构与性能表征检测设备

第三章热处理制度对两步烧结法制备反应烧结碳化硅微观结构与性能的影响

3．1引言

3．2渗硅时间对反应烧结碳化硅的影响

3．2．1线变化率

3．2．2物相组成

3．2．3显气孔率和体积密度

3．2．4常温耐压强度

3．2．5渗硅时间对反应烧结碳化硅的影响

3．3烧结温度对反应烧结碳化硅的影响

3．3．1线变化率

3．3．2物相组成

3．3．3微观形貌

3．3．4显气孔率和体积密度

3．3．5常温耐压强度

3．4热处理制度对SiC反应烧结的影响机理

3．5本章小结

第四章Al对两步烧结法制备反应烧结SiC陶瓷微观结构与性能的影响

4．1引言

4．2实验结果与分析

4．2．1线变化率

4．2．2物相组成

4．2．3微观结构

4．2．4显气孔率和体积密度

4．2．5CT三维结构

4．2．6常温耐压强度

4．3Al对SiC反应烧结的促进作用及反应机理

4．4本章小结

第五章Al4SiC4对两步烧结法制备反应烧结SiC陶瓷微观结构与性能的影响

5．1引言

5．2实验结果及分析

5．2．1线变化率

5．2．2物相组成

5．2．3微观结构

5．2．4显气孔率和体积密度

5．2．5CT三维结构

5．2．6常温耐压强度

5．3Al4SiC4对SiC反应烧结的作用机理

5．4本章小结

第六章全文结论

参考文献

致谢

附录