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王步冉; 夏克强;
西南电子设备研究,四川成都610036;
中国人民解放军驻电子29所军代室;
SRAM; 单粒子翻转; 三维数值模拟; 加固;
机译:整个SRAM单元的SEU响应模拟为一个连续的三维器件域
机译:质子和轻离子在带镀金盖的SOI SRAM中引起SEU效应
机译:基于SRAM的FPGA SEU对EMI和TID印迹效应的综合敏感性分析
机译:基于SRAM基于SRAM的SEU效应的仿真分析
机译:研究反馈电阻之间的串扰对SRAM单元的SEU抗扰性的影响。
机译:载流导线磁场中的弯液面:三维数值模拟
机译:sRams中位翻码的统计异常以区分mCUs sEUs
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)
机译:SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
机译:SRAM CELL锁定SEU(单事件干扰)
机译:紧凑型自对准离子注入晶体管边缘电阻,可减轻SRAM中的SEU
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