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柳祖善; 陈蓓;
广州兴森快捷电路科技有限公司;
广东广州510663;
脉冲电镀; 低铜体系; 通孔; 填孔过程; 大孔径;
机译:使用反向脉冲电镀和不溶性阳极通过铜填充通孔和盲孔
机译:三嵌段共聚物和脉冲电镀法制备硅通孔的研究
机译:通过子模型研究不同通孔形式的铜通孔结构通孔底部的应力分布
机译:高纵横比的新挑战:通过反向脉冲电镀用铜填充通孔和盲孔
机译:T-铁,HOR-钴和HOR-镍体系的过渡金属富集相的热力学研究和T-铜体系富铜相的热力学研究。
机译:脉冲电镀频率和占空比对铜膜微结构和应力状态的影响
机译:填充铜的热硅通孔(通过硅通孔)引起的应变场的非线性解析模型的证明
机译:鲁米诺 - 铜 - 过氧化氢体系化学发光催化反应研究。 II。光电法研究铜浓度的影响
机译:通孔填充铜导体糊剂,铜导体通孔填充衬底的制造方法,铜导体通孔填充衬底,电路板,电子部件和半导体封装
机译:用于制造填充铜导电膏的通孔的方法,用于填充基板的铜导体通孔,用于填充基板的铜导体通孔,电路板,电子部件,半导体封装
机译:无卤或低卤电解填孔铜镀液
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