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一种半导体封装用键合金丝的研制

             

摘要

在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝.结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀.2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布.3)机械性能均匀稳定,Φ19 μm:断裂负荷≥5 cN,延伸率2%~6%;Φ15 μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%~6%.4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流.

著录项

  • 来源
    《贵金属 》 |2010年第1期|13-16|共4页
  • 作者单位

    贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;

    贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;

    贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;

    贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;

    贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;

    贵研铂业股份有限公司,昆明贵金属研究所,云南,昆明,650106;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TG146.3~+2;
  • 关键词

    金属材料 ; 键合金丝; 连铸 ; 熔断电流; 热影响区 ;

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