平面低压降肖特基二极管外延氧化工艺

摘要

太阳能平面低压降肖特基二极管采用常规外延加扩散氧化工艺,存在压降临界,漏电流不稳问题。通过在平板外延炉上进行工艺实验,采用优化的衬底及外延氧化工艺,在外延炉里同时完成外延及氧化工艺的过程。外延氧化工艺解决了常规平面氧化工艺由于扩散氧化工艺吸硼排磷[1]作用带来的外延表面磷浓度偏高引起漏电漏增加问题,同时可改善采用薄氧化层工艺带来背面处理不足,引起势垒金属淀积前清洗颗粒不稳定,影响肖特基势垒合金质量导致局部漏电流增加问题。