不同碳化硅器件的直接比较

摘要

本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET（结型场效应晶体管）和1200V SiC BJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiC MOSFET是最好的选择。