Leistungsschalter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) erobern in der heutigen Umrichtertechnik immer mehr Terrain. Der folgende Beitrag vergleicht den ersten Prototyp eines SiC-MOSFETs von ST mit einem in Grundstellung gesperrten SiC-JFET und einem SiC-BJT Die Analyse stellt die statischen und dynamischen Kenndaten der Bausteine gegenuber und konzentriert sich dabei insbesondere auf die jeweiligen Treiberanforderungen. Dabei zeigt sich, dass der SiC-MOSFET trotz seiner hoheren Figure ofMerit uberragende dynamische Eigenschaften an den Tag legt und sich verglichen mit den beiden konkurrierenden Bausteinen durch eine ausserst unkomplizierte Ansteuerung auszeichnet.
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