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O.Schilling; M.WolZ; G.Borghoff; J.Schiele; O.Holbe; P.Luniewski;
英飞凌科技股份公司Warstein;
PrimePACKTM模块; IGBT组件; 功率密度;
机译:三菱电机继续在功率器件技术方面取得进步,IGBT封装技术提高了功率密度,降低了功率损耗,并在智能技术方面取得了进步。
机译:沟槽栅极IGBT和CIGBT器件提高大功率模块功率密度的比较
机译:在有机基板上封装带有优化倒装芯片互连的$ W $带集成模块
机译:新型550A / 3300V模块采用XHPTM3封装,采用IGBT4和.XT技术,可提高下一代功率转换器的功率密度和使用寿命
机译:使用石墨烯复合材料作为热界面材料的IGBT封装的计算分析。
机译:沉积基于硅的堆叠层以灵活封装有机发光二极管
机译:集成栅双极晶体管(IGBT)分层封装结构内的散热特性
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用
机译:低电感键合无线共封装,用于高功率密度器件,尤其是IGBT和二极管
机译:低电感键合无线共封装,适用于高功率密度设备,尤其是IGBT和二极管
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