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基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器的热分析及优化设计

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本文针对一种新型的基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器进行热分析及优化设计.利用基于CFD的三维热分析软件Flotherm,采用强迫风冷设计,通过对SiC半桥封装模块的装配结构、散热器的材料和翅片数量以及整机风扇热流动的优化设计,使得磁芯温度低于90℃,SiC芯片温度低于80℃,壳温低于50℃,具有良好的散热效果,整机的功率密度达到50W/in3.

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来源
《第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会》|2015年|1-5|共5页
会议地点北京
作者
方建明; 陈材; 康勇; 吴燕庆;
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作者单位

中国高校电力电子与电力传动学术年会组委会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类逆变器;
关键词
逆变器; 热分析; 优化设计; 温度控制;
入库时间 2022-08-17 10:19:56

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基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器的热分析及优化设计

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