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DDR2内存; PCI-Express; 横向评测; Intel; 内存市场; 芯片组; 革命性; 架构;
机译:具有双时钟输入锁存方案和混合多氧化物输出缓冲器的1.8V 800Mb / s / pin DDR2和2.5V 400Mb / s / pin DDR1兼容设计的1Gb SDRAM
机译:1Gbit DRAM的开发,可在一个芯片上实现两种规格的1.8V 800-Mb / s / pin DDR2和2.5-V 400-Mb / s / pin DDR1
机译:开发1 Gbit DRAM,可在一个芯片中实现2个1.8V 800-MB / S /引脚DDR2和2.5-V 400-MB / S /引脚DDR1的规格
机译:800MHz DDR2内存系统的电源交付设计在低成本线键封装中
机译:隐式和显式内存测试会重新激活公用内存跟踪:支持单一内存系统。
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机译:800 meV H(sup(减))输送线的非截留横向发射率测量诊断
机译:带有稳压器的主板,用于支持DDR2内存模块和DDR3内存模块
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