内存市场

摘要： 近期,存储器市场景气消散,先后传出全球几大存储厂家减少产能的消息,市场需求持续走低。在暂时尚未找到新突破口的情况下,几大存储厂商纷纷采取保守措施,降低资本支出,以图解决供需失衡。

摘要： DDR4刚刚基本一统消费级内存市场,DDR3的退场似乎还有些依依不舍。但时间不等人,新一代内存的规格之争已经开始。尽管DDR5似乎已经被“内定”为下一代主流PC内存,但无论是已经在显存市场打出“一片天”的HBM内存,还是在PCI-E 4.0身后虎视眈眈的新形态内存,甚至是DDR5的“继承人”DDR6内存,都已经在觊觎着消费级内存市场了。那么,未来的内存市场究竟会有哪些实力强劲的选手加入,最终又会花落谁家呢?今天市场与用户的选择,也许就将影响未来整个市场的内存形态,乃至整个PC的形态。

摘要： 近日,根据BusinessKorea报道,针对目前半导体市场达到饱和的言论,三星表示明年和今年下半年对服务器DRAM和移动DRAM的需求将保持稳定,除了美国公司之外,中国对服务器半导体需求也在不断增长.该公司还驳斥了一些预测,即它将从以盈利为中心的战略转向通过提高供应来增加其市场份额.三星电子也对明年DRAM供需前景持乐观态度.

摘要： 一旦国内厂商掌握了某个产品的生产技术，那么这种产品的供货量大增、价格狂降基本就是定局了，如果是新技术或新产品，那么随之而来就很可能是这种产品或技术的普及了。这里请让笔者平复一下想到了内存市场之后的心情。

摘要： 近期的处理器市场基本保持稳定，而内存市场则没有这么低调，出货量最大的DDR34GB1333目前的价格普遍已涨至160元左右，较最低价时期涨幅达40％。这样看来，单条容量8GB的产品显得更值得购买了．它们的价格大多集中在270元～300元。

摘要： 作为传统的三大件，处理器和显卡都在不断升级，而内存条（以下简称“内存”）却迟迟没有动静。今年，一些大厂商提出ddr3将会迎来2133时代（内存频率提升为2 133mhz），这似乎预示着内存市场将会发生改变。那么，ddr3-2133内存究竟能给我们的电脑带来多大的性能提升呢？升频后的内存价格又是否会水涨船高？同时，市场上又有哪些在售的2133内存值得我们关注呢？由于intel和amd的处理器如今对内存的要求不太高，因此ddr3-1333和ddr3-1600一直霸占着主流内存市场。

摘要： 据IHS iSuppli公司的移动与嵌入内存市场追踪报告,越来越多的智能手机与平板电脑进入市场,未来几年将成为推动移动内存领域稳步健康增长的关键力量。预计今年移动内存营业收入增长6%,速度虽然温和,但很稳健。

摘要： DIY几大产品线之中，内存的发展可以说是最为平稳的，随着DRAM颗粒价格的大幅下跌以及未来新平台方案的提出，内存市场已经迎来了新一轮的升级。DDR4且前看来依旧还有些遥不可及．但高频1600MHz甚至1866MHz的内存已经渐渐占据市场主流，很多厂商的主打款就是DDR31600MHz、1866MHz或更高。性价比优势十分明显。在诸多内存品牌之中，

摘要： 本发明提供一种内存管理方法、内存储存装置及内存控制电路单元。所述方法包括：接收第一数据；检测未储存有效数据的第一类实体抹除单元的总数；若所述总数小于第一临界值，执行第一程序。所述第一程序包括：从可复写式非易失性内存模块接收第二数据；暂存第一数据与第二数据；根据可复写式非易失性内存模块的储存状态来动态地决定写入规则并且根据所决定的写入规则将第一数据与第二数据储存至所述可复写式非易失性内存模块。本发明可使可复写式非易失性内存模块在第一程序中对应于第一数据的写入速度较为稳定。

摘要： 本发明实例公开了基于内存芯片互连的内存访问处理方法、内存芯片及系统，涉及电子设备领域，可以减少内存访问请求的处理时延，提高系统带宽的利用率。本发明的方法包括：第一内存芯片接收内存访问请求；若所述第一内存芯片不是所述内存访问请求对应的目标内存芯片，则根据预先配置的路由规则通过芯片互连接口将所述内存访问请求发送给所述内存访问请求对应的目标内存芯片。本发明的实施例主要用于内存访问请求的处理过程中。

摘要： 本发明提供一种内存控制器、内存控制系统和内存控制方法。该内存控制器包括：至少一个自刷新模块，所述至少一个自刷新模块中的每一个分别与至少一个存储芯片连接，并且所述至少一个自刷新模块的每一个分别配置来对所连接的存储芯片进行刷新；判断模块，配置来分别判断所述至少一个自刷新模块中的每一个所连接的存储芯片的类别，从而生成与所述至少一个自刷新模块中的每一个对应的判断结果；以及控制逻辑模块，配置来在所述判断结果表示特定的自刷新模块所连接的存储芯片为第一类别的情况下，关闭所述特定的自刷新模块。

摘要： 本发明提供了一种基于大数据内存数据的全市场股票动态展示系统及方法，包括：行情客户端，所述行情客户端包括行情前端，所述行情前端包括数据层和界面层，所述数据层包括多个证券大数据内存数据库，所述界面层包括界面模块、行情界面以及功能模块，所述界面模块和行情界面与所有功能模块连接，每个所述证券大数据内存数据库与界面模块和行情界面连接。本发明采用基于证券市场和证券类别的内存寻址管理，使得行情系统可扩容港美股等市场数10倍的数据，在大数据集的行情体量下，保持市场数据检索的时间复杂度保持不变。

摘要： 本公开涉及内存技术领域，具体地，涉及一种内存控制器、内存系统、内存控制方法及介质。所述内存控制器包括：选通模块和ECC模块。ECC模块包括与选通模块电连接的至少两种ECC子模块。该至少两种ECC子模块采用的ECC算法不同。选通模块用于选通至少两种ECC子模块中的一种ECC子模块。ECC子模块用于在被选通模块选通的情况下，根据数据访问命令进行ECC操作。本公开提供的内存控制器、内存系统及内存控制方法，可以动态、灵活地调整纠错和检错能力与内存容量损耗，避免造成内存浪费或无法满足更为严格的数据场景要求。从而，达到在满足数据可靠性前提下，尽量的节省内存资源的目的。

摘要： 本发明提供一种内存修复电路、内存模块及内存修复方法，所述内存修复电路包括非挥发性储存单元、挥发性储存单元、控制器、自我测试电路以及修复信息产生电路，其中，所述控制器还根据所述第二修复信息设定所述主内存与所述备用内存或所述内嵌的冗余内存。本发明同时具有硬修复技术与软修复技术两者的优点的至少一部分，且可以提供累加式修复功能。在使用期限较长的电子产品的应用中，所述内存修复电路与方法与使用其的内存模块可以针对新出现的错误的内存单元进行修复，以确保电子产品可以正常运作。

摘要： 本申请实施例公开了一种内存管理系统、内存管理方法、内存管理装置，内存管理系统包括处理器、N个内存管理器以及N个功能模块，N个内存管理器和N个功能模块分别一一对应连接，N为大于1的整数；处理器，用于分别为N个功能模块分配内存容器；第一内存管理器，用于根据第一功能模块的内存分配请求，从第一功能模块对应的第一内存容器中为第一功能模块分配内存块；其中，第一内存管理器为N个内存管理器中的任意一个内存容器，第一功能模块为N个功能模块中的、与第一内存容器对应的一个功能模块；第一功能模块，用于向内存块写入数据。

摘要： 本申请公开了一种扩展内存装置，Cache一致性控制器将通过QPI总线接收到的预设CPU的访存信息发送至非易失存储器控制器；非易失存储器控制器用于将访存信息转化为非易失存储器存储介质的读写数据信息以使非易失存储器存储介质的完成读写操作。采用CPU与Cache一致性控制器通过QPI总线连接进行内存扩展，进而实现对扩展内存的读取，避免了通过I/O进行访问，大幅度提升了访问效率，并且Cache一致性控制器连接还实现了对DRAM和扩展内存的统一编址。本发明还提供扩展内存系统、扩展内存的访存方法、Cache一致性控制器、扩展内存的访存设备、计算机可读存储介质，具有如上述方法相同的有益效果。

摘要： 本发明提供一种内存管理方法、内存控制电路单元及内存储存装置。此方法包括：配置多个第一类超实体单元，其中每一个第一类超实体单元包括可同时被程序化的至少两个好实体抹除单元。此方法也包括：配置至少一第二类超实体单元，其中此至少一第二类超实体单元包括不可同时被程序化的至少两个好实体抹除单元。本发明提供的内存管理方法、内存控制电路单元与内存储存装置，可将属于同一平面中的多个好实体抹除单元配置为同一个超实体单元，藉以增加所配置的超实体单元的数量，并且更有效地使用可复写式非易失性内存模块中的好实体抹除单元。

摘要： 本实用新型公开了一种内存测试用的工业级内存插槽和内存测试系统，包括插槽本体，所述插槽本体的两端设有至少一个定位柱，所述定位柱包括柱体，所述柱体的一端与所述插槽本体的端部可拆卸连接，所述柱体的另一端设有导向部；所述插槽本体的至少一端内部还设有至少一个导光柱。本实用新型降低了新测试设备投入生产以及设备更换位置时的调校时间，降低了生产成本，有利于操作人员快速准确判断该插槽上内存条的状态，不易出现操作失误，可避免在标注被测内存初始化是否通过时，混淆LED灯珠与内存插槽之间的对应关系。