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刘赓胥;
无;
次半微米结构; 半导体器件; 薄膜; TCP蚀刻;
机译:使用多层光刻电子束工艺和等离子干蚀刻技术开发高纵横比的半半微米结构
机译:用硝酸作为金属辅助化学蚀刻工艺氧化剂在多晶硅硅上形成倒金字塔状亚微米结构
机译:使用博世工艺蚀刻亚微米沟槽及其在减反射结构制造中的应用
机译:防止等离子体诱导的对薄栅极氧化层的HDP氧化物沉积,金属蚀刻,BEOL亚半微米CMOS工艺中的Ar预清洗工艺的损坏
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:两种依赖FADH2的单加氧酶之间的结构和催化差异:伯克霍尔德菌AC1100的245-TCP 4-单加氧酶(TftD)和Cupriavidus necator JMP134的246-TCP 4-单加氧酶(TcpA)
机译:具有亚微米栅极长度的mOs FET的完全干蚀刻工艺
机译:用于亚半微米ULsI结构的铜电镀工艺
机译:用于亚微米互连的选择性间隙填充的两步金属蚀刻工艺及其结构
机译:使用等离子体蚀刻在包括集成电路的硅基板上制造尺寸为1微米的多晶硅结构的工艺
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