公开/公告号CN106488658A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;
申请/专利号CN201611234175.4
发明设计人 于中尧;
申请日2016-12-28
分类号H05K3/06;
代理机构上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人任益
地址 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
入库时间 2023-06-19 01:44:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K3/06 申请日:20161228
实质审查的生效
2017-03-08
公开
公开
机译: 等离子蚀刻工艺,用于快速,无损地清洗反应室,主要用于在硅基板上沉积或蚀刻层
机译: 等离子蚀刻工艺,用于快速无损清洁反应室,主要用于在硅基板上沉积或蚀刻层
机译: 等离子蚀刻工艺,用于快速无损清洁反应室,主要用于在硅基板上沉积或蚀刻层