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离子蚀刻; 钨; ECR; 薄膜;
机译:在硅表面上反射地质素 - 原位硅表面蚀刻工艺中的电化学蚀刻过程的原位观察硅表面蚀刻的电化学蚀刻工艺
机译:使用NF3 / O2和SF6 / O2的干法蚀刻工艺中与蚀刻速率相关的参数的研究
机译:在使用SF6,C4F8和O-2等离子体蚀刻多晶硅和碳氟化合物聚合物期间,底部和侧壁蚀刻速率对偏置电压和源功率的依赖性
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻系统中使用基于SF6 / C4F8 / AR / O2的SF6 / C4F8 / AR / O2的石英的高速各向异性蚀刻
机译:自由基离子束蚀刻(RBIBE):钇钡氧化铜薄膜超导体的反应器表征和蚀刻。
机译:光学化学蚀刻和生物降解镁AZ31支架的光学化学蚀刻和体内测试的初步研究
机译:sF6 / O-2中siC的电感耦合等离子体蚀刻和蚀刻诱导的表面化学键合修饰
机译:ICl和IBr基化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第一部分:Gaas,Gasb和alGaas;等离子体化学和等离子体处理
机译:使用SF6-O2蚀刻组合物进行轮廓定制的沟槽蚀刻,其中各向同性和各向异性蚀刻均通过改变氧气量来实现
机译:使用SF6 -Cl.2-惰性气体蚀刻剂对SiO 2进行多晶硅选择性反应性离子蚀刻
机译:利用基于SF6的化学反应蚀刻Tosi Tope Recon的工艺和系统
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