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胡刚;
无;
磁控溅射; 锗离子; 离子注入; 氢化非晶硅; 薄膜;
机译:通过使用双磁控溅射源交替沉积Si和C薄层来制备非晶Si1-xCx(0 <= x <= 1)薄膜
机译:磁控溅射制备的退火Si1-xCx / SiC薄膜的结构和电学特性
机译:PECVD沉积用于SiCOI异质结制造的Si1-xCx:H薄膜的特性
机译:通过植入Ge〜+的磁控溅射A-Si_1-XC_X:H薄膜的修改
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:反应堆磁控溅射沉积p型缺铜Cu Cr0.95-xMg0.05 O2薄膜的光电性能
机译:使用射频磁控溅射在$ Pt / Ti / SiO_2 / Si $衬底上沉积的$ CaCu_3Ti_4O_ {12} $薄膜的沉积和介电特性
机译:用于pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电容器的La(sub 0.5)CoO(sub 3)// pt复合电极的射频磁控溅射沉积
机译:磁控溅射枪和磁控溅射薄膜沉积装置
机译:磁控溅射系统及通过磁控溅射薄膜沉积的方法
机译:沉积原子层以改善薄膜特性的方法,所述薄膜特性可在低温步骤和高温步骤多次重复一次一次强化沉积循环的情况下重复强化沉积循环
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