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徐庆元; 熊国刚; 肖李鹏;
中国工程物理研究院机械制造工艺研究所;
化学气相沉积; 薄膜; 沉积速率; 晶体结构; 沉积参数; 反应原理;
机译:脉冲周期数对金属有机化学气相沉积法生长的原子层外延AIN薄膜质量的影响
机译:脉冲循环数对通过金属有机化学气相沉积生长脉冲原子层外延AIN薄膜质量的影响
机译:生长参数对通过低压化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方氮化硼薄膜成膜的影响
机译:过程参数对混合组织结构形成的影响
机译:通过光子辅助的电子回旋共振化学气相沉积法生长的非晶和微晶硅薄膜,用于异质结太阳能电池和薄膜晶体管。
机译:吡啶化学气相沉积制得的氮掺杂石墨烯薄膜:工艺参数对电学和光学性质的影响
机译:微波等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅晶体薄膜
机译:化学气相沉积法在大面积玻璃基板上高沉积速度沉积氮化硅薄膜的方法
机译:用于操作投影曝光设备的方法,涉及相对于不可校正的膨胀系数对图像像差的影响,消除校正后的膨胀系数对物体像差的影响。
机译:晶体管的参数对零件的影响是什么,用来消除它的温度富集。
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