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王卓然; 于晋龙; 王新兵; 杨恩泽;
天津大学电信学院光纤通信实验室光电信息技术科学教育部重点实验室;
SOA; 开关窗口; 载流子寿命; UNI; 注入电流; 增益; 半导体光放大器; 影响; 实验; 吻合;
机译:具有单个杂质水平的半导体中注入的载流子寿命和双注入电流
机译:Al〜+离子注入的4H-SiC垂直p〜+ -i-n二极管:漏电流和OCVD载流子寿命的处理依赖性
机译:使用高斯形状的注入电流脉冲测量半导体激光器中的载流子寿命
机译:信号重复频率,注入电流和切换窗口对SOA-NOLM中交叉相位调制的影响
机译:半导体中弹道自旋电流,载流子密度和载流子自旋的光学注入和相干控制。
机译:转换评估窗口:具有较长SOA的可预测正向素数消除了向后素数的影响
机译:温度和注入水平的依赖性以及热氧化对p型和n型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响
机译:非晶半导体中自由载流子复合寿命的温度依赖性对热刺激光电流谱的影响。
机译:在用作主电流路径的第一部分和器件的其余部分之间具有不同载流子寿命的半导体开关器件
机译:对于胶片电路,照明电流电路的开关在图像窗口中会影响用于冷却图像条的气流的影响
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