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高英; 孙燕; 王昕; 李俊生; 田蕾; 李兰兰; 叶灿明;
1. 中国计量科学研究院 2. 有研半导体材料股份有限公司 3. 广州市昆德科技有限公司;
硅单晶; 非平衡载流子寿命; 注入水平; 少子寿命;
机译:任意注入水平下p-n结半导体二极管基极中非平衡载流子的寿命
机译:锗中载流子寿命与电阻率和载流子注入水平的关系
机译:具有单个杂质水平的半导体中注入的载流子寿命和双注入电流
机译:微波非接触法测量硅晶片中非平衡载流子的有效寿命
机译:镓基III-V材料和器件中非平衡载流子动力学的时间分辨特性。
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:半导体中非平衡电荷载流子的寿命,禁止区域的近距离和旋转轨道切割
机译:磁阱中非平衡载流子的寿命
机译:测量半导体中非平衡载流子寿命的方法
机译:半导体电荷载流子寿命确定-在检查注入的载流子时通过测量多余的电子和空穴
机译:载流子注入装置,载流子注入方式和载流子注入体
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