InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量

摘要

为确定异质结界面带阶,结合光致发光(PL)谱和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果,利用有效质量近似理论,计算得到了InAs/GaAs自组装量子点结构的能带不连续量,其中导带不连续量ΔEc=0.97eV,价带不连续量ΔEv=0.14eV。